Samsung 850 EVO 2.5" 500 GB Serial ATA III MLC

Mi a 3D V-NAND és miben különbözik a meglévő technológiáktól?
A Samsung flash memória az innovatív 3D-s V-NAND technológián alapul, amely 32 cella réteget halmoz egymás tetejére, a cellák hosszának és szélességének csökkentése helyett annak érdekében, hogy illeszkedjen a mai egyre zsugorodó kivitelhez. Az eredmény nagyobb sűrűség és teljesítmény, kevesebb helyhasználat és valódi áttörés a hagyományos síkbeli NAND memóriák sűrűség-határértékének leküzdésében.

Optimalizálja a mindennapi számítógéphasználatot a TurboWrite technológiával a páratlan olvasási/írási sebesség érdekében.
Érje el a legvégső írási / olvasási teljesítményt és maximalizálja a mindennapos számítógéphasználat élményét a Samsung TurboWrite technológiájával. Amellett, hogy a 840 EVO-nál10%-kal jobb felhasználói élményben lesz része, a 120/250 GB-os modellek* esetében 1,9-szer gyorsabb közvetlen írási sebességre is szert tehet. A 850 EVO kategóriájának legjobb teljesítményét nyújtja, szekvenciális olvasási (540 MB/s) és írási (520 MB/s) sebességgel. Ráadásul optimalizált közvetlen teljesítményt is kap minden QD-hez az ügyfél számítógéphasználat során.*PCmark7 (250 GB ) : 6700 (840 EVO) > 7600 (850 EVO).
**Véletlenszerű írás(QD32,120 GB) : 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO).

Hajtson a gyorsítósávban a továbbfejlesztett RAPID módokkal.
Használja ki az írási / olvasási teljesítmény minden kapacitását a RAPID móddal, amikor szüksége van rá. Csakúgy, mint a sebváltó az autóban, a Magician szoftver is megadja a lehetőséget, hogy növelje a teljesítményt a rendszer szintjén az adatok feldolgozásával a szabad PC memória (DRAM) cache-ként való használatával, amely 1,8-szer gyorsabb teljesítményt nyújt a RAPID módban *. * PCMark Vantage pontszám (512 GB): 53 K > 97 K (gyors módban).

Garantált tartósság és megbízhatóság 3D V-NAND tehnológiával.
A 840 EVO** előző generációihoz képest a TBW* megduplázásával a 850 EVO garantált tartósságot és megbízhatóságot biztosít, melyhez most 5 év garancia is jár.A minimalizált teljesítménycsökkenéssel a 850 EVO a 840 EVO-énál 30%-kal nagyobb teljesítményt képes fenntartani, mely az egyik legmegbízhatóbb háttértárak egyikévé teszi.****TBW: Total Bytes Written (összes kiírható bájt).
**TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120/250 GB), 150 (850 EVO 500/1 TB).
***Fenntartott teljesítmény (250 GB): 3300 IOPS (840 EVO) > 6500 IOPS (850 EVO), 12 órával a „Random Write” teszt után mértteljesítmény.

Számítógépezzen többet, a fejlett energiahatákonyságnak és a 3D V-NAND-nak köszönhetően.
A 850 EVO jelentősen meghosszabbítja notebook-jának akkumulátor élettartamát, a 3D V-NAND-ra optimalizált szabályozó segítségével, mely lehetővé teszi a készülék alvómódba lépését melynek fogyasztása mindössze 2 mW. A 850 EVO most 25%-kal gazdaságosabb a 840 EVO-nál az írási műveletek során, hála a 3D V-NAND-nak, mely csak a felét fogyasztja a sík 2D NAND energiafogyasztásának.
*Energiafelvétel (250 GB) 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO).

Samsung 850 EVO, 500 GB, 2.5", 540 MB/s, 6 Gbit/s

Samsung 850 EVO. SSD meghajtó kapacitása: 500 GB, SSD formatényező: 2.5", Olvasási sebesség: 540 MB/s, Írási sebesség: 520 MB/s, Adatátviteli sebesség: 6 Gbit/s