Each of several items in a list, preceded by a bullet symbol for emphasis.
:
- - 0,5 ГБ DRAM 266 МГц
- - 200-pin SO-DIMM
- - Время задержки CAS: 2.5
Больше>>>
Краткое суммарное описание Kingston Technology System Specific Memory 512 MB PC2100 DDR RAM модуль памяти 0,5 ГБ DRAM 266 МГц:
Этот краткий итог описания Kingston Technology System Specific Memory 512 MB PC2100 DDR RAM модуль памяти 0,5 ГБ DRAM 266 МГц сформирован автоматически и использует название продукта и первые шесть основных спецификаций.
Kingston Technology System Specific Memory 512 MB PC2100 DDR RAM, 0,5 ГБ, DRAM, 266 МГц, 200-pin SO-DIMM
Общее описание Kingston Technology System Specific Memory 512 MB PC2100 DDR RAM модуль памяти 0,5 ГБ DRAM 266 МГц:
Это автоматически сформированный общий итог Kingston Technology System Specific Memory 512 MB PC2100 DDR RAM модуль памяти 0,5 ГБ DRAM 266 МГц основанный на первых трех спецификациях, первых пяти спецификаций групп.
Kingston Technology System Specific Memory 512 MB PC2100 DDR RAM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 266 МГц, Форм-фактор памяти: 200-pin SO-DIMM, Время задержки CAS: 2.5